微软加入新一代DRAM整体HMCC的理由
2012年5月8日,推进使用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布,软件行业巨头美国微软已加盟gai协会。
HMC是接纳三维结构,在逻辑芯片上沿垂直偏向叠加多个DRAM芯片,然后通过TSV毗连布线的手艺。HMC的最大特征是与既有的DRAM相比,性能可以获得极大的提升。提升的缘故原由有二,一是芯片间的布线距离能够从半导体封装平摊在主板上的传统要领的“cm”单元大幅缩小到数十μm~1mm;二是一枚芯片上能够形成1000~数万个TSV,实现芯片间的多点毗连。
微软之以是加入HMCC,是由于正在思量怎样对应很可能会成为小我私人电脑和盘算机性能提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指随着微处置赏罚器的性能通过多核化一直提升,现行架构的DRAM的性能将无法知足处置赏罚器的需要。若是不解决这个问题,就会发生纵然购置盘算机新产物,现实性能也得不到响应提升的qing况。与之相比,若是把基于TSV的HMC应用于盘算机的主存储器,数据传输速率就能够提高到现行DRAM的约15倍,因此,不只是微软,微处置赏罚器巨头美国英特尔等公司也在起劲研究接纳HMC。
着实,妄想接纳TSV的并不只是HMC等DRAM产物。an照半导体厂商的妄想,在以后数年间,从肩负电子装备输入功效的CMOS传感器到认真运算的FPGA和多核处置赏罚器,以及掌管产物存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。若是妄想准期举行,TSV将担负起输入、运算、存储等电子装备的主要功效。
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